STC4614是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管

DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程，特别是量身定制，以尽量减少对状态的阻力

并提供优越的开关性能。该装置特别适合于低电压应用

如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，在高侧

开关，低的在线功率损耗和电阻瞬态是必要的

特征

N沟道

40V／10.0A，RDS（ON）= 25mΩ（典型值）

@ VGS = 10V

40V／6A，RDS（ON）= 32mΩ

@ VGS = 4.5V

P沟道

- 40V / -10.0a，RDS（上）= 37mΩ（典型值

@ VGS = - 10V

- 40V / -5.0a，RDS（上）= 43mΩ

@ VGS = - 4.5V

！**高密度电池设计

较低的RDS（on）

！特殊的阻力和大

直流电流的能力

！SOP-8封装

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